Substrat mit Vias und Zugehörige Herstellungsverfahren

EP4505512 Art A1 12. Februar 2025

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, SOITEC 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4505512
Aktenzeichen: EP23716542
Anmeldetag: 3. April 2023
Veröffentlichung: 12. Februar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/48

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
SOITEC
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

529 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von