Mikroelektronische Vorrichtung mit einem Mantelgitter und Verfahren zur Herstellung einer Solchen Vorrichtung
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4507008
- Aktenzeichen
- EP24192998
- Anmeldetag
- 6. August 2024
- Veröffentlichung
- 12. Februar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/775H01L29/778H01L29/06H01L29/24H01L29/423H01L21/336// B82Y10/00H01L29/16
Abstract
L'invention porte sur un dispositif comprenant des transistors (T1, T2, T3) comprenant chacun : • un canal (41) à base d'un matériau semiconducteur, • une grille (50) enrobante, entourant totalement ledit canal (41), • une source (42) et un drain (43) de part et d'autre du canal (41), et des contacts (60S, 60, 60D) de source et drain, • une couche diélectrique de grille (30) séparant le canal (41) et la grille (50) enrobante, • des espaceurs (70) de part et d'autre de la grille (50). Avantageusement, la couche diélectrique de grille (30) et les espaceurs (70) sont formés par au moins une seule et même couche continue (73) entourant la grille (50) enrobante. L'invention porte également sur un procédé de réalisation d'un tel dispositif.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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