Verfahren zur Programmierung einer Mehrstufigen Zellen-Nand-Flash-Speichervorrichtung und Mlc-Nand-Flash-Speichervorrichtung
EP4510134
Art A3
7. Mai 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4510134
- Aktenzeichen
- EP24216114
- Anmeldetag
- 22. Mai 2019
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/12G11C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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