Speicher, Speichersystem und Speicherbetriebsverfahren

EP4510136 Art A1 19. Februar 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4510136
Aktenzeichen
EP23925603
Anmeldetag
25. Juni 2023
Veröffentlichung
19. Februar 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G06F11/10G11C29/42G06F3/06G11C16/04G11C16/08G11C16/10G11C16/26
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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