Anwendung einer Ald- oder Pecvd-Schutzschicht auf einem Halbleiterchip, der über eine Sinterschicht mit einem Substrat Verbunden Ist

EP4510179 Art A1 19. Februar 2025

Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4510179
Aktenzeichen: EP23191961
Anmeldetag: 17. August 2023
Veröffentlichung: 19. Februar 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/00H01L23/29H01L23/373H01L23/31

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Infineon Technologies Austria AG
Land: 🇦🇹 Österreich

🇦🇹 Infineon Technologies Austria

Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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