Gasvermittelte Sekundärelektronenerzeugung und Sammlungsverstärkung für Verbesserte Endpunktdetektion mit Edelionen zur Schaltungsbearbeitung in Halbleiterwafern

EP4513527 Art A3 9. Juli 2025

Anmelder: Carl Zeiss SMT GmbH 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4513527
Aktenzeichen: EP24182807
Anmeldetag: 18. Juni 2024
Veröffentlichung: 9. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01J37/305H01J37/317H01J37/02H01L21/768G03F1/74G03F1/78

Abstract

An ion beam system with increased secondary electron yield is provided. The increase of a secondary electron yield is achieved by utilizing during ion beam scanning a combination of at least two individual gases adapted to material compositions present in a semiconductor wafer or lithography mask. The improved system and method can be applied for inspection, circuit edit or repair of semiconductor wafers or lithography masks.

Anmelder

Firma: Carl Zeiss SMT GmbH
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 Carl Zeiss SMT

Deutsches Unternehmen der Carl Zeiss Gruppe mit Sitz in Oberkochen, das optische Systeme und Lithographieoptiken für die Halbleiterindustrie entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Optik & Fototechnik

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