Halbleiteranordnung mit Verbessertem Abschlussbereich, sowie Entsprechendes Herstellungsverfahren und Leistungsanordnung
Anmelder: Nexperia B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4513566
- Aktenzeichen
- EP23193449
- Anmeldetag
- 25. August 2023
- Veröffentlichung
- 26. Februar 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06H01L23/31H01L29/16H01L29/861H01L29/872H01L21/329H01L29/78H01L21/336
Abstract
A semiconductor device, comprising a semiconductor body comprising a semiconductor substrate and an epitaxial layer formed on the semiconductor substrate, said epitaxial layer being of the first conductivity type, and wherein an active area and a termination area adjacent the active area are arranged in the epitaxial layer, wherein said termination area comprises a plurality of laterally spaced apart first regions, said first regions being of the second conductivity type opposite to said first conductivity type, each of said plurality of first regions enclosing, observed from a top view of said semiconductor device, said active area and one or more second regions, wherein said second regions are comprised in between said plurality of spaced apart first regions, respectively, wherein said one or more second regions extend further into said epitaxial layer than said plurality of spaced apart first regions, and wherein said one or more second regions comprise an insulation material for insulating said plurality of spaced apart first regions from one another.
Anmelder
- Firma
- Nexperia B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
Der Anmelder ist ein niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Nijmegen, der als Ausgründung aus NXP Semiconductors hervorging. Das Patentportfolio konzentriert sich stark auf Halbleiter- und Elektrobauelemente, ergänzt durch Elektronik, Schaltungstechnik und elektrische Energietechnik. Anmeldungen laufen seit 2009 durchgehend fort.
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