Chipgehäusestruktur, Halbleiterstruktur und Herstellungsverfahren dafür

EP4519917 Art A1 12. März 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4519917
Aktenzeichen
EP23762151
Anmeldetag
26. Juli 2023
Veröffentlichung
12. März 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/065H01L23/31H01L23/433H01L23/538H01L23/498H01L23/367H05K1/18H01L25/18
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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