Schutzstruktur für einen Fet mit Erweiterungsmodus einer Schaltung und Entsprechendes Verfahren

EP4525306 Art A1 19. März 2025

Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4525306
Aktenzeichen
EP23197729
Anmeldetag
15. September 2023
Veröffentlichung
19. März 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H03K17/0812H03K17/10
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
NXP USA, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen