Integrierte Schaltung mit Dielektrischer Schicht mit Selektiv Implantierten, Stress-Härtbaren Dotierungsmitteln
EP4531086
Art A1
2. April 2025
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4531086
- Aktenzeichen
- EP24201065
- Anmeldetag
- 18. September 2024
- Veröffentlichung
- 2. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/768H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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