Ein Elektrostatischer Entladungsschutz mit einem Mos-Basierten Schalter
EP4531105
Art A1
2. April 2025
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4531105
- Aktenzeichen
- EP23306650
- Anmeldetag
- 29. September 2023
- Veröffentlichung
- 2. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D89/60H10D89/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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