Einstufige Vorder-Ohmsche und Schottky-Kontaktausbildung auf Sic-Leistungsbauelementen mit Laserglühen

EP4535955 Art A1 9. April 2025

Anmelder: STMicroelectronics International N.V., Consiglio Nazionale Delle Ricerche 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4535955
Aktenzeichen: EP24203528
Anmeldetag: 30. September 2024
Veröffentlichung: 9. April 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D8/01H10D8/60H10D62/832H10D64/62H10D64/64

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firmen: STMicroelectronics International N.V.
Consiglio Nazionale Delle Ricerche
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

733 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von