Plasmaverstärkte Niedertemperatur-Atomschichtabscheidung von Metallen
EP4544095
Art A1
30. April 2025
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4544095
- Aktenzeichen
- EP23828096
- Anmeldetag
- 23. Juni 2023
- Veröffentlichung
- 30. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- C23C16/455C23C16/06C23C16/458H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München