Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
EP4546969
Art A1
30. April 2025
Anmelder: SK hynix Inc. 🇰🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4546969
- Aktenzeichen
- EP24208835
- Anmeldetag
- 25. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 30. April 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B12/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- SK hynix Inc.
- Land
- 🇰🇷 Südkorea
🇰🇷
SK hynix
Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.
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Fachgebiete
Vertreten von
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Isarpatent
Isarpatent · München