Isolation eines P-Gan Hemts unter Verwendung eines Gate Rings

EP4546973 Art A1 30. April 2025

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4546973
Aktenzeichen: EP24315480
Anmeldetag: 17. Oktober 2024
Veröffentlichung: 30. April 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D30/47H10D30/01H10D64/23H10D64/27// H10D62/17H10D64/20H10D62/85

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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