Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP4546976
Art A3
25. Juni 2025
Anmelder: Rohm Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4546976
- Aktenzeichen
- EP25160522
- Anmeldetag
- 15. September 2011
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/66H10D30/01H10D62/832H01L21/04
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Rohm Co., Ltd.
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Rohm
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kyoto, spezialisiert auf integrierte Schaltkreise, diskrete Halbleiterbauelemente und Leistungshalbleiter (unter anderem Siliziumkarbid-Bauteile).
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