Photodetektoren mit einer Gekerbten Lichtabsorbierenden Schicht

EP4550015 Art A1 7. Mai 2025

Anmelder: GlobalFoundries U.S. Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4550015
Aktenzeichen
EP24170916
Anmeldetag
18. April 2024
Veröffentlichung
7. Mai 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G02B6/12G02B6/122
Offizieller Volltext

Abstract

Structures for a photonics chip that include a photodetector and methods of forming such structures. The structure comprises a photodetector that is disposed on a substrate and that includes a light-absorbing layer. The light-absorbing layer includes a sidewall and a notch in the sidewall. The structure further comprises a waveguide core including a section adjacent to the notch in the sidewall of the light-absorbing layer.

Anmelder

Firma
GlobalFoundries U.S. Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 GlobalFoundries U.S.

US-amerikanisches Unternehmen, das als Halbleiter-Auftragsfertiger (Foundry) Chips für andere Unternehmen produziert, darunter Prozessoren und Speicherbausteine für Elektronik-, Automobil- und Kommunikationsanwendungen.

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Fachgebiete

Kanzlei
V. Füner Ebbinghaus Finck Hano München, Deutschland

Seit über 50 Jahren nahe dem Europäischen Patentamt in München tätig, deutscher Kern der EUROMARKPAT-Gruppe. Eigene Büros in Russland, der Ukraine und weiteren Ländern Osteuropas und Eurasiens ermöglichen direkte Vertretung ohne lokale Kanzleien.

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