Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

EP4550963 Art A3 25. Juni 2025

Anmelder: SK hynix Inc. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4550963
Aktenzeichen
EP24206167
Anmeldetag
11. Oktober 2024
Veröffentlichung
25. Juni 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H10B12/00H01L23/528H01L23/522H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
SK hynix Inc.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

59 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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