Integration eines Selbstleitenten Gan Hemt auf Monolithischen P-Gan Integrierten Schaltungen
EP4550979
Art A1
7. Mai 2025
Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4550979
- Aktenzeichen
- EP24315475
- Anmeldetag
- 16. Oktober 2024
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D84/05H10D30/47H10D62/17H10D62/85H10D84/82
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics International N.V.
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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Vertreten von
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Studio Torta S.p.A · Treviso