Verfahren zum Lesen eines Dreidimensionalen Flash-Speichers
EP4557906
Art A3
6. August 2025
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4557906
- Aktenzeichen
- EP25167197
- Anmeldetag
- 23. Oktober 2019
- Veröffentlichung
- 6. August 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/34G11C16/04G11C11/56G11C16/08G11C16/32H10B41/10H10B41/27H10B43/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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