Flächeneffizienter Fin-Basierter Lateral-Diffundierter Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistor
EP4557908
Art A1
21. Mai 2025
Anmelder: Avago Technologies International Sales Pte. Limited 🇸🇬
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4557908
- Aktenzeichen
- EP24190796
- Anmeldetag
- 25. Juli 2024
- Veröffentlichung
- 21. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D30/62
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Avago Technologies International Sales Pte. Limited
- Land
- 🇸🇬 Singapur
🇸🇬
Avago Technologies International Sales
Singapurische Vertriebsgesellschaft des Halbleiterkonzerns Avago Technologies (heute Broadcom), tätig im internationalen Vertrieb von Halbleiterkomponenten für Kommunikations-, Industrie- und Speicheranwendungen.
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