Gebondete Speichervorrichtungen mit Flash-Speichersteuerung sowie Herstellung und Betriebsverfahren dafür

EP4564430 Art A3 27. August 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4564430
Aktenzeichen
EP25169134
Anmeldetag
24. Juli 2019
Veröffentlichung
27. August 2025
Rechtsraum
EP
IPC
H01L25/18H01L25/00G06F13/00G06F11/10G11C11/00G11C11/401G11C11/56G11C16/04H01L23/31H10B43/40// H01L23/00H01L25/065H10B43/27H10B12/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung

Vertreten von

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