Einbrennstrategien zur Verbesserung der Lithografischen Leistung eines Metallhaltigen Resists
EP4567518
Art A3
22. Oktober 2025
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4567518
- Aktenzeichen
- EP25172399
- Anmeldetag
- 24. Juni 2020
- Veröffentlichung
- 22. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/26G03F7/36G03F7/004G03F7/16G03F7/38
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Mewburn Ellis LLP
Mewburn Ellis LLP · München