Halbleitergehäuse mit Leiterrahmen mit einer Metallplattierten Bondfläche
EP4567882
Art A1
11. Juni 2025
Anmelder: Infineon Technologies Austria AG 🇦🇹
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4567882
- Aktenzeichen
- EP23213970
- Anmeldetag
- 4. Dezember 2023
- Veröffentlichung
- 11. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies Austria AG
- Land
- 🇦🇹 Österreich
🇦🇹
Infineon Technologies Austria
Österreichische Konzerngesellschaft des deutschen Halbleiterherstellers Infineon mit Sitz in Villach. Entwickelt und fertigt Halbleiterbauelemente für Automobil-, Energie- und Industrieanwendungen.
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