Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP4571820
Art A1
18. Juni 2025
Anmelder: Tohoku University 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4571820
- Aktenzeichen
- EP22954928
- Anmeldetag
- 9. August 2022
- Veröffentlichung
- 18. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/338H01L29/778H01L29/812
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tohoku University
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tohoku University
Staatliche Universität in Sendai, Japan, mit Forschungsschwerpunkten unter anderem in Materialwissenschaften und Werkstofftechnik.
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