Herstellungsverfahren für eine Elektronische Halbleitervorrichtung mit Graben-Gate

EP4572560 Art A1 18. Juni 2025

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4572560
Aktenzeichen: EP24315551
Anmeldetag: 5. Dezember 2024
Veröffentlichung: 18. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D30/01H01L21/321

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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