Halbleiteranordnung mit einem Defektgebiet und Verfahren zu deren Herstellung
EP4576169
Art A1
25. Juni 2025
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4576169
- Aktenzeichen
- EP24219547
- Anmeldetag
- 12. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/265H10D84/80// H01L21/761
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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