Transistorvorrichtung auf Basis einer Heterostruktur mit Rückkontaktregion und Herstellungsverfahren dafür

EP4576187 Art A1 25. Juni 2025

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4576187
Aktenzeichen: EP24220539
Anmeldetag: 17. Dezember 2024
Veröffentlichung: 25. Juni 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/768H01L23/48H10D30/47H10D62/85

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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