Halbleiterbauelement mit mehreren Bauelementregionen und Herstellungsverfahren dafür
EP4576998
Art A1
25. Juni 2025
Anmelder: NXP USA, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4576998
- Aktenzeichen
- EP24220345
- Anmeldetag
- 16. Dezember 2024
- Veröffentlichung
- 25. Juni 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D84/08H10D30/47H10D84/40H10D84/82
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP USA, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
NXP USA
US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.
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