Vertikaler Heteroübergang-Bipolartransistor und Verfahren zu Seiner Herstellung

EP4579755 Art A1 2. Juli 2025

Anmelder: IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik 🇩🇪

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4579755
Aktenzeichen: EP24178022
Anmeldetag: 24. Mai 2024
Veröffentlichung: 2. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/06H01L29/08H01L29/10H01L29/737// H01L29/165

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: IHP GmbH - Innovations for High Performance Microelectronics / Leibniz-Institut für innovative Mikroelektronik
Land: 🇩🇪 Deutschland

🇩🇪 IHP – Innovations for High Performance Microelectronics

Deutsches Forschungsinstitut (Leibniz-Institut) mit Sitz in Frankfurt (Oder), das an Hochleistungs-Mikroelektronik forscht, darunter Silizium-Germanium-Technologien und Halbleiterschaltungen für Kommunikations- und Sensoranwendungen.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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