Ätzen einer Thermischen Atomschicht aus Nitrid

EP4581665 Art A1 9. Juli 2025

Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4581665
Aktenzeichen: EP23861113
Anmeldetag: 24. August 2023
Veröffentlichung: 9. Juli 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/3065H01L21/3213H01L21/311H01L21/67

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: LAM Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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