Halbleitergehäuse für Hochspannungsanwendungen und Verfahren zur Herstellung davon
EP4583156
Art A1
9. Juli 2025
Anmelder: Infineon Technologies AG 🇩🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4583156
- Aktenzeichen
- EP24150691
- Anmeldetag
- 8. Januar 2024
- Veröffentlichung
- 9. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Infineon Technologies AG
- Land
- 🇩🇪 Deutschland
🇩🇪
Infineon Technologies
Deutscher Halbleiterkonzern mit Sitz in Neubiberg bei München, hervorgegangen aus Siemens. Entwickelt und fertigt Halbleiter und Systemlösungen für Automobil-, Industrie- und Sicherheitsanwendungen.
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