Dreidimensionale Speichervorrichtung mit Abgelagerten Halbleiterstopfen und Verfahren zur Formung davon
EP4583661
Art A3
25. Februar 2026
Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4583661
- Aktenzeichen
- EP25176344
- Anmeldetag
- 12. April 2019
- Veröffentlichung
- 25. Februar 2026
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10B43/27H10B43/50
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
- Land
- 🇨🇳 China
🇨🇳
Yangtze Memory Technologies
Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.
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