Verfahren zur Herstellung einer Feuchtigkeitsbarriere auf Lichtempfindlichen Organometallischen Oxiden
EP4584635
Art A1
16. Juli 2025
Anmelder: Tokyo Electron Limited 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4584635
- Aktenzeichen
- EP23863654
- Anmeldetag
- 24. Juli 2023
- Veröffentlichung
- 16. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G03F7/09G03F7/11G03F7/16H01L21/027G03F7/004
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Tokyo Electron Limited
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Tokyo Electron
Japanisches Technologieunternehmen mit Sitz in Tokio, einer der weltweit größten Hersteller von Halbleiterfertigungsanlagen. Aktiv in Beschichtungs-, Ätz- und Reinigungssystemen für die Chip- und Displayproduktion.
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Kanzlei
Boehmert & Boehmert
München, Deutschland
Boehmert & Boehmert geht auf die Zulassung von Dr. Karl Boehmert 1931 in Berlin zurück. Mit Standorten in Deutschland, Alicante, Paris und Shanghai bietet die Kanzlei IP aus einer Hand und legt besonderen Wert auf persönliche Mandantenbetreuung statt Anonymität.
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