Verfahren zur Herstellung eines Graben-Gate-Metalloxid-Halbleiter-Feldeffekttransistors

EP4586766 Art A3 5. November 2025

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4586766
Aktenzeichen: EP25150145
Anmeldetag: 3. Januar 2025
Veröffentlichung: 5. November 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D30/01H01L21/265H10D30/66H10D62/10H10D62/40// H10D62/832

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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