Speicher und Betriebsverfahren Dafür, Speichersystem und Wortleitungsspannungssteuerungsschaltung

EP4589590 Art A1 23. Juli 2025

Anmelder: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4589590
Aktenzeichen
EP23925602
Anmeldetag
28. November 2023
Veröffentlichung
23. Juli 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G11C8/08H10B12/00G11C7/02G11C11/408G11C16/04G11C16/08G11C16/30G11C8/14G11C11/4074
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.
Land
🇨🇳 China
🇨🇳 Yangtze Memory Technologies

Chinesisches Unternehmen aus Wuhan, das NAND-Flash-Speicherchips entwickelt und produziert.

996 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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