Halbleiterbauelement mit Doppeltem Downset-Rahmen und Verfahren dafür
EP4593080
Art A1
30. Juli 2025
Anmelder: NXP B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4593080
- Aktenzeichen
- EP25151889
- Anmeldetag
- 15. Januar 2025
- Veröffentlichung
- 30. Juli 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L23/495H01L23/31
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- NXP B.V.
- Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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