Schaltung zur Durchführung eines Belastungstests von Leistungstransistor-Gates

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4597127

Aktenzeichen

EP25155468

Anmeldetag

3. Februar 2025

Veröffentlichung

6. August 2025

Rechtsraum

EP

IPC

G01R31/26G01R31/28G01R31/40

Abstract

La présente description concerne un circuit électronique de puissance (100) comprenant au moins un transistor de puissance (102, 106) dont la grille est couplée à un circuit de commande (104, 108) et dont la source est couplée à un premier plot de contact (114, 124), dans lequel le circuit de commande (104, 108) est couplé à un deuxième plot de contact (116, 126), et dans lequel les premier et deuxième plots de contact (114, 116, 124, 126) sont configurés pour être découplés l'un de l'autre lorsque le circuit électronique de puissance (100) est dans une configuration de test sous contrainte de la grille du transistor de puissance (102, 106) et configurés pour être couplés l'un à l'autre lorsque le transistor de puissance (102, 106) et le circuit de commande (104, 108) sont encapsulés.

Anmelder

Firma

STMicroelectronics International N.V.

Land

🇨🇭 Schweiz

Fachgebiete