Elektronischer Chip mit Verspannten Transistoren

Details

Veröffentlichungs-Nr.

EP4597561

Aktenzeichen

EP25154573

Anmeldetag

28. Januar 2025

Veröffentlichung

6. August 2025

Rechtsraum

EP

IPC

H01L21/762H10D30/69H10D62/17H10D86/01H10D84/03

Abstract

La présente description concerne un procédé de fabrication d'une puce électronique comprenant les étapes successives consistant à :- prévoir une couche semiconductrice (120) située sur un isolant (130) recouvrant un substrat semiconducteur (110) ;- oxyder des premières et deuxièmes portions de la couche semiconductrice jusqu'à l'isolant, de manière à former des premières portions oxydées (140) et des deuxièmes portions oxydées (150) sur l'isolant ;- générer des contraintes (310) dans une troisième portion (210) de la couche semiconductrice non traversée par les premières et deuxièmes portions oxydées, la troisième portion s'étendant de manière continue entre les deuxièmes portions oxydées (150) ;- former des cavités (410) s'étendant au moins jusqu'au substrat semiconducteur à travers les deuxièmes portions oxydées et l'isolant ; et- former des premiers transistors à effet de champ dans et sur la troisième portion (210).

Anmelder

Firma

STMicroelectronics International N.V.

Land

🇨🇭 Schweiz

Fachgebiete