Wasserstoffreduktion einer Siliziumnitridpassivierungsschicht durch Bildung und Behandlung von Passivierungsunterschichten

EP4599475 Art A1 13. August 2025

Anmelder: Lam Research Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4599475
Aktenzeichen: EP23875384
Anmeldetag: 20. September 2023
Veröffentlichung: 13. August 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/3105H01L33/44H01L33/00C23C16/56C23C16/34

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Lam Research Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Lam Research

US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.

2.725 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente Metallurgie & Oberflächentechnik

Vertreten von