Halbleiterbauelement, Halbleitersystem und Betriebsverfahren für das Halbleiterbauelement

EP4600835 Art A1 13. August 2025

Anmelder: SK hynix Inc. 🇰🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP4600835
Aktenzeichen
EP24218565
Anmeldetag
10. Dezember 2024
Veröffentlichung
13. August 2025
Rechtsraum
EP
IPC
G06F13/16G11C7/10
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
SK hynix Inc.
Land
🇰🇷 Südkorea
🇰🇷 SK hynix

Südkoreanischer Halbleiterhersteller, der Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash für Computer, Server und mobile Geräte produziert.

59 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Software & Datenverarbeitung

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