Verfahren zur Regulierung der Schottky-Barrierenhöhe in einer Siliciumcarbid-Leistungsdiode und Leistungsdiode

EP4608086 Art A1 27. August 2025

Anmelder: STMicroelectronics International N.V., Consiglio Nazionale Delle Ricerche 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4608086
Aktenzeichen: EP25156828
Anmeldetag: 10. Februar 2025
Veröffentlichung: 27. August 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D8/60H10D8/01H10D62/10H10D62/832

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: STMicroelectronics International N.V.
Consiglio Nazionale Delle Ricerche
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

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