Verfahren zur Herstellung einer Optoelektronischen Vorrichtung mit einer Vielzahl von Galliumnitriddioden

EP4615198 Art A3 17. Dezember 2025

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives, THALES 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4615198
Aktenzeichen: EP25190725
Anmeldetag: 13. Mai 2016
Veröffentlichung: 17. Dezember 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10H29/01// H10H20/01

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
THALES
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

5.929 Patente in unserer Datenbank

🇫🇷 Thales

Französischer Technologiekonzern mit Sitz in Paris, aktiv in Luft- und Raumfahrt, Verteidigungstechnik, Sicherheitstechnologie sowie Bahn- und Kommunikationssystemen für zivile und militärische Anwendungen.

3.469 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von