Leistungs-Mosfet mit einem Randring mit Variabler Transparenz, der aus einem Tiefen Selbstausgerichteten Implantat gebildet Ist

EP4618719 Art A1 17. September 2025

Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4618719
Aktenzeichen: EP25158817
Anmeldetag: 19. Februar 2025
Veröffentlichung: 17. September 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D62/10H10D62/40H01L21/04H10D62/57H10D30/66H10D62/832

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: STMicroelectronics International N.V.
Land: 🇨🇭 Schweiz

🇨🇭 STMicroelectronics International

Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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