Verfahren zur Herstellung einer 2D-Kanal-Feldeffekt-Transistorvorrichtung
EP4625498
Art A1
1. Oktober 2025
Anmelder: IMEC VZW 🇧🇪
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4625498
- Aktenzeichen
- EP24167815
- Anmeldetag
- 28. März 2024
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/778H01L29/24H01L29/08H01L29/06H01L21/8234H01L21/8238H01L27/088H01L29/775
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- IMEC VZW
- Land
- 🇧🇪 Belgien
🇧🇪
imec
Imec ist ein belgisches Forschungszentrum mit Sitz in Leuven, das auf Nanoelektronik, Halbleitertechnologie und digitale Technologien spezialisiert ist.
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