Rückwärtsleitende Igbt-Vorrichtung mit Injektionsanode mit Niedrigem Wirkungsgrad und Herstellungsverfahren dafür
EP4626167
Art A1
1. Oktober 2025
Anmelder: STMicroelectronics International N.V. 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4626167
- Aktenzeichen
- EP25164048
- Anmeldetag
- 17. März 2025
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D12/00H10D12/01H01L21/283H10D8/00H10D64/00H10D64/23H10D64/62H10D84/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- STMicroelectronics International N.V.
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
🇨🇭
STMicroelectronics International
Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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