Source- und Drain-Strukturen für Hochleitfähige Kontaktschnittstelle und Verspannung für Mosfet-Kanal

EP4626169 Art A1 1. Oktober 2025

Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4626169
Aktenzeichen: EP25165754
Anmeldetag: 24. März 2025
Veröffentlichung: 1. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10D62/10H10D30/01H10D30/00H10D30/62H10D30/67H10D30/69H10D62/13

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Intel Corporation
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Intel

US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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