Integrierte Schaltungsstruktur mit Geweitetem Rückseiten-Source- oder Drain-Kontakt, der die Benachbarten Gates nicht Überlappt
EP4626178
Art A1
1. Oktober 2025
Anmelder: Intel Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4626178
- Aktenzeichen
- EP25165751
- Anmeldetag
- 24. März 2025
- Veröffentlichung
- 1. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H10D84/01H10D30/00H10D64/23H10D84/83H10D30/01
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Intel Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Intel
US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Kalifornien. Entwickelt und produziert Prozessoren, Chipsätze sowie weitere Halbleiterkomponenten für Computer, Server und eingebettete Systeme.
26.648 Patente in unserer Datenbank