Speichervorrichtung mit Schichten aus Fefet-Speicherzellen und Vertikalen Steuergates

EP4627894 Art A1 8. Oktober 2025

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP4627894
Aktenzeichen: EP23898637
Anmeldetag: 27. November 2023
Veröffentlichung: 8. Oktober 2025
Rechtsraum: EP
IPC: H10B51/20H10B51/30H01L29/78H01L29/788H01L29/66

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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