Grabenhalbleiterbauelement mit Geteiltem Gate und Gestufter Schirmelektrode und Verfahren zur Herstellung
EP4632821
Art A1
15. Oktober 2025
Anmelder: Semiconductor Components Industries, LLC 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP4632821
- Aktenzeichen
- EP24184780
- Anmeldetag
- 26. Juni 2024
- Veröffentlichung
- 15. Oktober 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/40H01L29/423H01L29/78H01L21/336
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Semiconductor Components Industries, LLC
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Semiconductor Components Industries
Semiconductor Components Industries, besser bekannt unter der Marke onsemi, ist ein US-amerikanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Arizona. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Energie- und Schaltungstechnik, ergänzt um Nachrichtentechnik. Anmeldungen decken den Zeitraum 2000 bis 2025 ab.
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